機(jī)電工程設(shè)備維護(hù)保養(yǎng):第243期探討晶體管的開關(guān)作用與工作狀態(tài)分析
作者:佚名|分類:百科常識(shí)|瀏覽:83|發(fā)布時(shí)間:2025-07-17
在機(jī)電工程設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)系列知識(shí)分享第243期中,我們將探討晶體管的開關(guān)作用。除了放大功能之外,晶體管還具備重要的開關(guān)能力,在脈沖數(shù)字電路設(shè)計(jì)中被廣泛應(yīng)用。
當(dāng)我們在分析Vcc和Rc時(shí),可以畫出直流負(fù)載線,并且這條直線與輸出特性曲線相交于一點(diǎn),這就是靜態(tài)工作點(diǎn)的位置。該位置由基極電流Ib決定。由于不同的偏置條件,晶體管有三種主要的工作狀態(tài):放大、飽和以及截止。

1. 放大狀態(tài):在這一狀態(tài)下,發(fā)射結(jié)處于正向偏置,而集電結(jié)則反向偏置(如圖所示)。此時(shí)的Vce等于Vcc減去Ic乘以Rc。在這個(gè)區(qū)域里,基極電流和集電極電流幾乎成比例關(guān)系,即Ic=βIb,其中β是增益因子。
2. 飽和狀態(tài):當(dāng)增加偏置電流Ib時(shí),工作點(diǎn)會(huì)沿輸出特性曲線移動(dòng)至彎曲部分。這時(shí)的晶體管已經(jīng)進(jìn)入飽和區(qū),其特征為集電極-發(fā)射極電壓Vce變得非常低,通常小于0.3伏特(對于NPN型硅管而言)。此時(shí),基極和集電極之間的電壓差反轉(zhuǎn),導(dǎo)致兩者都處于正向偏置狀態(tài)。
當(dāng)晶體管進(jìn)入飽和工作區(qū)時(shí),它的主要特征包括:(1)Ib 隨著對晶體管深入理解,我們還可以發(fā)現(xiàn)其在截止?fàn)顟B(tài)下的特性及應(yīng)用價(jià)值。更多內(nèi)容請期待后續(xù)分享。
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